カルコパイライト型太陽電池

開放特許情報番号
L2014001560
開放特許情報登録日
2014/9/1
最新更新日
2014/9/1

基本情報

出願番号 特願2005-212350
出願日 2005/7/22
出願人 本田技研工業株式会社
公開番号 特開2007-035677
公開日 2007/2/8
登録番号 特許第3963924号
特許権者 本田技研工業株式会社
発明の名称 カルコパイライト型太陽電池
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 カルコパイライト化合物の光吸収層を有する太陽電池
目的 優れたフレキシブル性を有し、ロール・トウ・ロルプロセスの大量生産工程に適合すると共に高い変換効率が得られる太陽電池として、基板にマイカ又はマイカを含む材料を選定してフレキシブル性を確保し、更にマイカ又はマイカを含む材料を基板とした場合の問題点、即ち表面平滑性を実現するため基板の表面にセラミックス材料からなる中間層を設け、この中間層の上にバインダを介してカルコパイライト型の光吸収層を形成する。
効果 所定厚みのセラミック系材料(中間層)の上に所定厚みの窒化物系バインダ層を介してカルコパイライト光吸収層を設けたので、基板からの不純物(特にカリウム)を光吸収層に拡散することなく、軽量でフレキシブル性に富み、且つ変換効率の高いカルコパイライト型太陽電池を得ることができる。
また、窒化物系バインダは比較的高価であるが、安価なセラミック系材料を中間層として用いることでバインダ層の厚さを薄くすることができ、従来のガラス基板を用いたカルコパイライト型太陽電池よりも安価に製造することができる。
技術概要
マイカ又はマイカを含む材料からなる基板と、前記基板上に形成される厚さが2μm以上20μm以下のセラミックス系の材料を含む中間層と、前記中間層上に積層される厚さが3000Å以上8000Å以下の窒化チタン(TiN)または窒化タンタル(TaN)を含むバインダ層と、前記バインダ層上に形成される下部電極層と、前記下部層上に600℃以上700℃以下の温度で熱処理されて形成されるカルコパイライト化合物からなるp型の光吸収層と、前記光吸収層上に形成されるn型のバッファ層と、前記バッファ層上に形成される透明電極層とを備えることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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