光導電素子及び撮像デバイス

開放特許情報番号
L2014001492
開放特許情報登録日
2014/8/22
最新更新日
2014/8/22

基本情報

出願番号 特願2010-094258
出願日 2010/4/15
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2011-228021
公開日 2011/11/10
登録番号 特許第5503387号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 光導電素子及び撮像デバイス
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 光導電素子及び撮像デバイス
目的 暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高S/Nの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供する。
効果 暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高S/Nの高品位画像が得られる正孔注入阻止強化層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供できる。
技術概要
透光性基板と、
前記透光性基板の上に形成される導電膜と、
前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、
前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層と
を具え、
前記正孔注入阻止層は、酸化亜鉛で構成され、
前記光導電層は、セレンを主体とする非晶質半導体層で構成される、光導電素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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