半導体装置の短絡保護装置

開放特許情報番号
L2014001464
開放特許情報登録日
2014/8/20
最新更新日
2015/5/20

基本情報

出願番号 特願2011-111884
出願日 2011/5/18
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2012-244365
公開日 2012/12/10
登録番号 特許第5721137号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体装置の短絡保護装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 電力用半導体装置の短絡保護装置
目的 IGBTの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。
効果 半導体素子(IGBT)の特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することができる。また、判断部分にデジタル処理を用いることで、高速化が可能となる。
本発明は、半導体装置の短絡保護装置として、インバータ等の電力制御装置の分野に好適に利用することができる。
技術概要
IGBTのゲート電荷Q↓Gに対応する電圧V↓(QG)を検出する電荷検出手段22と、IGBTの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧V↓(REF)を発生する基準電圧発生手段25と、電荷検出手段22で検出された電圧V↓(QG)がIGBTの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段27と、判断手段27が短絡状態を検出したときにIGBTを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段21とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段25に、IGBTの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧V↓(QG)のハイレベルで安定した電圧V↓(PEAK)を検出して記憶する記憶手段26を設ける。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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