| 出願番号 |
特願2011-111884 |
| 出願日 |
2011/5/18 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2012-244365 |
| 公開日 |
2012/12/10 |
| 登録番号 |
特許第5721137号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 発明の名称 |
半導体装置の短絡保護装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
電力用半導体装置の短絡保護装置 |
| 目的 |
ＩＧＢＴの特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することのできる半導体装置の短絡保護装置を提供する。 |
| 効果 |
半導体素子（ＩＧＢＴ）の特性の違いや温度変化があっても、最適なパラメータを自動的に設定することができる。また、判断部分にデジタル処理を用いることで、高速化が可能となる。
本発明は、半導体装置の短絡保護装置として、インバータ等の電力制御装置の分野に好適に利用することができる。 |
技術概要
 |
ＩＧＢＴのゲート電荷Ｑ↓Gに対応する電圧Ｖ↓（QG）を検出する電荷検出手段２２と、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷から負荷短絡が発生したかどうかを判断するための基準電圧Ｖ↓（REF）を発生する基準電圧発生手段２５と、電荷検出手段２２で検出された電圧Ｖ↓（QG）がＩＧＢＴの定格動作時の電荷に対応する電圧か、あるいは負荷短絡時の電荷に対応する電圧かを判断する判断手段２７と、判断手段２７が短絡状態を検出したときにＩＧＢＴを動作停止する信号を出力するゲート駆動手段２１とを持つ半導体装置の短絡保護装置において、基準電圧発生手段２５に、ＩＧＢＴの定格動作時の入力部の電荷に対応するゲート電荷電圧Ｖ↓（QG）のハイレベルで安定した電圧Ｖ↓（PEAK）を検出して記憶する記憶手段２６を設ける。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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