トレンチダイオード及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001452
開放特許情報登録日
2014/8/20
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2012-032493
出願日 2012/2/17
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2013-168609
公開日 2013/8/29
登録番号 特許第5880839号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 トレンチダイオードの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン基板に対して略垂直方向に形成された高アスペクト比トレンチを有するトレンチダイオード及びその製造方法
目的 半導体基板の深部で発生した電荷を効率良く電極で収集して近赤外線の受光感度およびエネルギー変換効率を高めることができるトレンチダイオード及びその製造方法を提供する。
効果 半導体基板の深部で発生した電荷を効率良く電極で収集することができ、トレンチダイオードの近赤外線の受光感度およびエネルギー変換効率を大幅に向上させることができる。
また、本発明によるトレンチダイオードの製造方法においては、前記トレンチ内壁の略全面及び前記基板表面に厚さが約100nm以上の低抵抗膜又は金属膜を形成するようにしたので、前記受光面からの光により前記基板内で発生した電荷を前記pn接合を介して収集する電極と基板表面の配線とを同時に形成できるなどの効果が得られる。
技術概要
半導体基板1の表面に受光面3が形成され、受光面3の一部を開口部とし受光面3に対して略垂直方向に基板1内に延びるトレンチ4が形成され、基板1のトレンチ4の内壁側に前記内壁に沿ってpn接合が形成されてなり、トレンチ4の内壁の略全面に、受光面3からの光により基板1内で発生した電荷を前記pn接合を介して収集する低抵抗膜又は金属膜7が形成されているトレンチダイオード、及びその製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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