同一基板へのCMOS及びトレンチダイオードの作製方法

開放特許情報番号
L2014001451
開放特許情報登録日
2014/8/20
最新更新日
2016/2/19

基本情報

出願番号 特願2012-032503
出願日 2012/2/17
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2013-168611
公開日 2013/8/29
登録番号 特許第5856868号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 同一基板へのCMOS及びトレンチダイオードの作製方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 同一シリコン基板上にCMOSデバイス(水平方向デバイス)及びトレンチダイオード(垂直方向デバイス)を形成するための方法
目的 同一基板上にCMOS回路とトレンチダイオードを高品質に且つ高効率に作製することができる同一基板へのCMOS及びトレンチダイオードの作製方法を提供する。
効果 CMOS作製のための熱処理とトレンチダイオード作製のための熱処理とのいずれか一方の熱処理が他方の拡散層のサイズや濃度分布に不測の影響を与えてしまうことを避けることができると共に、全体の工程数の増加を抑えて前記2つのデバイスの同一基板への作製を効率的に行うことが可能になる。
比較的容易に信号処理回路(平面デバイス)と受光部(3次元構造)を同一基板上に作製することが可能となり、高速性が要求される車載用近赤外線センサーや高感度の暗所監視センサー等を比較的安価に提供することができるようになる。
技術概要
CMOS作製のための約800℃以上で且つ約30分以上の熱処理工程の少なくとも一部と、トレンチダイオード作製のための約800℃以上で且つ約30分以上の熱処理工程の少なくとも一部とを略同時に行うか、又は、トレンチ6の内壁部にドーパント拡散を生じさせる際に基板1のCMOS形成領域にまで前記拡散が生じることを防止する拡散防止膜3を、基板1にトレンチ6を形成する前の、基板1にP−well8及びN−well9を形成するためのイオン注入を行なった後の工程で、予め形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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