高電圧電力用半導体装置
- 開放特許情報番号
- L2014001441
- 開放特許情報登録日
- 2014/8/20
- 最新更新日
- 2017/7/26
基本情報
出願番号 | 特願2012-123461 |
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出願日 | 2012/5/30 |
出願人 | 国立大学法人九州工業大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2013/12/12 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人九州工業大学 |
発明の名称 | 高電圧電力用半導体装置 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 機械・部品の製造 |
適用製品 | 高電圧電力用半導体装置 |
目的 | 無駄なスペースが少なく、形成が容易で加工工程時間が短い高電圧電力用半導体装置を提供する。 |
効果 | 本発明により、無駄なスペースが少なく、形成が容易で加工工程時間が短い高電圧電力用半導体装置が得られる。
形成が容易で加工工程時間が短い高電圧電力用半導体装置として、モータやエアコン等のドライブ用半導体装置、240V電源仕様の電気機器の電源等に好適に利用することができる。 |
技術概要![]() |
第1の第1導電型半導体層と、
前記第1の第1導電型半導体層の一方の面に選択的に形成された第1の第2導電型層と、 前記第1の第1導電型半導体層の他方の面に形成された第2の第1導電型層と、 前記第1の第2導電型層に接して前記第1の第1導電型半導体層に形成されたトレンチと、 前記トレンチ内に充填された絶縁体と、 前記トレンチの側壁ならびに底部に形成された第2の第2導電型層と、 前記第2の第2導電型層と離隔し、前記トレンチの側壁または底部に実質的に接して形成された第3の第1導電型層と を有する高電圧電力用半導体装置。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【否】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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