| 出願番号 |
特願2012-179119 |
| 出願日 |
2012/8/11 |
| 出願人 |
国立大学法人東北大学 |
| 公開番号 |
特開2014-038894 |
| 公開日 |
2014/2/27 |
| 発明の名称 |
マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス |
| 技術分野 |
電気・電子、情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス |
| 目的 |
キュリー温度が室温以上で磁化の大きいマルチフェロイック薄膜及びマルチフェロイック薄膜を用いたデバイスを提供する。 |
| 効果 |
スピンフィルタ効果素子によれば、マルチフェロイック薄膜をトンネル障壁に用いることで、室温かつ低外部磁界で非常に大きなＴＭＲを得ることができる。
本発明のマルチフェロイック薄膜を用いたセンサによれば、室温で高速の光スイッチが得られる。 |
技術概要
 |
マルチフェロイック薄膜は、Ｂｉ（Ｆｅ↓（1-x）Ｃｏ↓x）Ｏ↓3薄膜（ここで組成ｘは、０＜ｘ＜１）からなり、厚さが１．８ｎｍ以下で、かつ、室温において、３０ｅｍｕ／ｃｍ↑3以上の磁化と１００μＣ／ｃｍ↑2以上の自発分極とを有している。Ｂｉ（Ｆｅ↓（1-x）Ｃｏ↓x）Ｏ↓3薄膜は、正方晶、菱面体晶、単斜晶の何れかの結晶構造を有している。Ｂｉ（Ｆｅ↓（1-x）Ｃｏ↓x）Ｏ↓3薄膜は、Ｂｉ（Ｆｅ↓（0.9）Ｃｏ↓（0.1））Ｏ↓3からなる。マルチフェロイック薄膜を用いたデバイスとして、スピンフィルタ素子１は、非磁性層２からなる第１の電極２ａと、第１の電極２ａ上に形成されるＢｉ（Ｆｅ↓（1-x）Ｃｏ↓x）Ｏ↓3からなるマルチフェロイック薄膜３と、該マルチフェロイック薄膜３上の強磁性層４からなる第２の電極４ａと、を含んで構成される。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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