マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス

開放特許情報番号
L2014001359
開放特許情報登録日
2014/8/4
最新更新日
2014/8/4

基本情報

出願番号 特願2012-179119
出願日 2012/8/11
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2014-038894
公開日 2014/2/27
発明の名称 マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス
目的 キュリー温度が室温以上で磁化の大きいマルチフェロイック薄膜及びマルチフェロイック薄膜を用いたデバイスを提供する。
効果 スピンフィルタ効果素子によれば、マルチフェロイック薄膜をトンネル障壁に用いることで、室温かつ低外部磁界で非常に大きなTMRを得ることができる。
本発明のマルチフェロイック薄膜を用いたセンサによれば、室温で高速の光スイッチが得られる。
技術概要
マルチフェロイック薄膜は、Bi(Fe↓(1-x)Co↓x)O↓3薄膜(ここで組成xは、0<x<1)からなり、厚さが1.8nm以下で、かつ、室温において、30emu/cm↑3以上の磁化と100μC/cm↑2以上の自発分極とを有している。Bi(Fe↓(1-x)Co↓x)O↓3薄膜は、正方晶、菱面体晶、単斜晶の何れかの結晶構造を有している。Bi(Fe↓(1-x)Co↓x)O↓3薄膜は、Bi(Fe↓(0.9)Co↓(0.1))O↓3からなる。マルチフェロイック薄膜を用いたデバイスとして、スピンフィルタ素子1は、非磁性層2からなる第1の電極2aと、第1の電極2a上に形成されるBi(Fe↓(1-x)Co↓x)O↓3からなるマルチフェロイック薄膜3と、該マルチフェロイック薄膜3上の強磁性層4からなる第2の電極4aと、を含んで構成される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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