出願番号 |
特願2014-091447 |
出願日 |
2014/4/25 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2015-209563 |
公開日 |
2015/11/24 |
登録番号 |
特許第6366988号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
長さの揃った金又は銀ナノロッドの製造方法 |
技術分野 |
機械・加工 |
機能 |
機械・部品の製造、材料・素材の製造 |
適用製品 |
長さの揃った金又は銀ナノロッドの製造方法 |
目的 |
長さが500nmを超え、かつ、長さの揃った金又は銀ナノロッドの製造方法を提供する。 |
効果 |
直径100nm程度であることから侵襲性が低く、生きたまま電位計測や電気刺激が可能であると期待できる。またアスペクト比が大きい為、細胞内部まで挿入することができる。Siのプローブでは、表面が酸化され易いため、電極としての使用には工夫を要するが、金は非常に酸化されにくく安定である。さらに、金は生体親和性が高く、長期間の埋植も可能である。
その他の応用分野として、ナノギャップ電極や電子回路といった電気化学分野、ワイヤグリッド偏光素子といった光学分野も考えられる。 |
技術概要
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2重膜を形成し得る界面活性剤、金又は銀化合物、及び、アスコルビン酸を含む成長溶液と、結晶核分散液とを液滴形成直前に所定の混合比で混合し、該混合液の液滴であって体積がほぼ同じ多数の液滴を該混合液と相溶性の無い非相溶性媒体中に形成し、該多数の液滴のうちの少なくとも一部の液滴中で、金又は銀ナノロッドの成長を行う金又は銀ナノロッドの製造方法であって、1個の液滴中に含まれる金又は銀化合物の量は、500nm超のナノロッドの長さに対応するものであり、前記結晶核分散液の濃度及び前記混合比は、1個の液滴中に存在する結晶核が1個又は0個となるように設定されたものである、金又は銀ナノロッドの製造方法。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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