| 出願番号 |
特願2016-513829 |
| 出願日 |
2015/4/16 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
WO2015/159949 |
| 公開日 |
2015/10/22 |
| 登録番号 |
特許第6195426号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
炭化珪素エピタキシャルウエハおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
炭化珪素エピタキシャルウエハ |
| 目的 |
低オフ角の炭化珪素エピタキシャルウエハに対し、高Ｃ/Ｓｉ比での成長においても異種ポリタイプの混入の抑制を可能とし、信頼性の高い高耐圧炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハを提供する。 |
| 効果 |
低オフ角の炭化珪素基板に対し、高Ｃ/Ｓｉ比での成長においても異種ポリタイプの混入の抑制を可能とし、信頼性の高い高耐圧炭化珪素半導体素子を形成可能な炭化珪素エピタキシャルウエハを提供することができる。 |
技術概要
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α型の結晶構造を有し、(０００１)Ｓｉ面を０°よりも大きく１°以下傾斜させた炭化珪素基板上にエピタキシャル成長層が配される炭化珪素エピタキシャルウエハであって、前記炭化珪素基板とエピタキシャル成長層との界面近傍のステップテラスに直交する断面において、高さ１ｎｍのステップが５個以上１０個以下統合されたステップバンチングの占める割合が９０％以上であることを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハ。
炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法であって、α型の結晶構造を有し、(０００１)Ｓｉ面または(０００−１)Ｃ面を０°よりも大きく４°未満傾斜させた炭化珪素基板を準備する工程と、水素雰囲気で所定の温度に加熱された前記炭化珪素基板の表面に略４０分以上水素エッチングを行いステップバンチングを構成する工程と、前記ステップバンチングが構成された炭化珪素基板表面上に、Ｃ/Ｓｉ比が２以上となる条件下で、炭化珪素エピタキシャル成長層を作製する工程と、前記作製したエピタキシャル成長層表面に化学機械研磨を施工して該表面を平坦化して炭化珪素エピタキシャルウエハを作製する工程と、を有することを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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