光酸化剤による導電性膜印刷用親水性パターン形成方法

開放特許情報番号
L2014001314
開放特許情報登録日
2014/7/29
最新更新日
2017/11/16

基本情報

出願番号 特願2014-068467
出願日 2014/3/28
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-192040
公開日 2015/11/2
登録番号 特許第6213994号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 光酸化剤による導電性膜印刷用親水性パターン形成方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 表面処理
適用製品 親水性パターンを形成する親水性パターン形成方法
目的 光酸化剤水溶液が塗布された疎水性表面を光照射処理して親水性パターンを形成する技術において、光照射パターンよりも大きくならない正確、高精度の親水性パターンを形成する。
効果 各種の疎水性表面に比較的簡単で低コストの操作で、光照射パターンよりも大きくならない正確、高精度、又は、所定の割合で縮小した種々の親水性パターンを形成することができる。また、形成された親水性パターンは、正確、高精度の導電性パターン膜の形成に利用することができる。
また、この親水性パターンは、導電性パターン膜の形成に利用できるので、各種のデバイス等の製造に幅広く応用することができる。
技術概要
疎水性表面に光酸化剤の水溶液膜を形成した後、該水溶液膜で被覆された疎水性表面のうち所定パターン領域を光照射し、親水性パターンを形成する親水性パターン形成方法において、該光酸化剤の水溶液としてアルコールが添加されたものを用いることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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