AlN層の製造方法およびAlN層

開放特許情報番号
L2014001266
開放特許情報登録日
2014/7/18
最新更新日
2015/10/20

基本情報

出願番号 特願2011-151137
出願日 2011/7/7
出願人 学校法人立命館
公開番号 特開2013-021028
公開日 2013/1/31
登録番号 特許第5791399号
特許権者 学校法人立命館
発明の名称 AlN層の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 AlN層の製造方法およびAlN層
目的 一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造することを可能にするAlN層の製造方法およびAlN層を提供する。
効果 概ね1250℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているMOCVD装置を用いて、低コストで品質の高い優れたAlN層を製造することを可能にするAlN層の製造方法およびAlN層を提供することができる。
また、本発明は、深紫外波長領域の光を発生するデバイスの材料として利用することができる。
技術概要
AlN層の製造方法において、c面Al↓2O↓3基板をAlN成長に先んじてAlN成長を行う1000℃以上1200℃以下の成長温度にまで昇温する第1ステップと、第1ステップにより1000℃以上1200℃以下で加熱されているc面Al↓2O↓3基板上に、1000℃以上1200℃以下の成長温度でAlN層を成長する第2ステップと、第2ステップで形成したAlN層を、H↓2またはN↓2またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにNH↓3が混入されたプロセスガス中で1000℃以上1250℃未満の温度でアニールする第3ステップと、第3ステップでアニールされたAlN層上に1000℃以上1250℃未満の成長温度でAlN層を成長する第4ステップとを有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 立命館大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT