深紫外発光素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001240
開放特許情報登録日
2014/7/18
最新更新日
2014/8/29

基本情報

出願番号 特願2009-278130
出願日 2009/12/8
出願人 学校法人立命館
公開番号 特開2011-124000
公開日 2011/6/23
登録番号 特許第5565793号
特許権者 学校法人立命館
発明の名称 深紫外発光素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 深紫外発光素子及びその製造方法
目的 高発光効率であり製造が容易な深紫外発光素子及びその製造方法を提供すること。
効果 1%以上の外部量子効率を実現することができ、最適化すれば外部量子効率を約10%まで向上することができ、高い効率で深紫外光を発生させることができる。
約1日〜2日で製造することができ大面積化も容易である。
発光層としてAlGaNを使用する場合、発光層中のAlの割合を空間的に変化させることによって、所定の幅広い波長帯域にわたって深紫外光を発生させることもできる。
電極に直流電圧を印加すれば、強度が時間的に安定な深紫外光を発生させることができるので、計測用途に使用することが可能になる。
技術概要
深紫外発光素子(1)は、上部基板(6)と、下部基板(2)と、前記下部基板の一方の面に形成された複数の電極(3)、誘電体層(4)、及び保護層(5)と、前記上部基板の一方の面に形成された発光層(7)と、前記上部基板及び前記下部基板が、前記電極と前記発光層とを対向させて配置させて形成された密閉空間(8)に充填されたガス(Xe及びNe)とを備え、前記電極の間にRF電圧が印加された場合に前記ガスによって発生するプラズマ(P)によって、前記発光層が深紫外光(L)を発する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 立命館大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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