| 出願番号 |
特願2012-196681 |
| 出願日 |
2012/9/6 |
| 出願人 |
国立大学法人弘前大学 |
| 公開番号 |
特開2014-052832 |
| 公開日 |
2014/3/20 |
| 登録番号 |
特許第6044926号 |
| 特許権者 |
国立大学法人弘前大学 |
| 発明の名称 |
ビア接続の多層配線の信頼性を評価する信頼性評価シミュレーションプログラム、ビア接続の多層配線の許容電流密度向上方法およびビア接続の多層配線 |
| 技術分野 |
情報・通信、電気・電子 |
| 機能 |
制御・ソフトウェア、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
ビア接続の多層配線の信頼性を評価する信頼性評価シミュレーションプログラム等 |
| 目的 |
リザーバ構造を有するビア接続の多層配線について、ＥＭ損傷過程の数値シミュレーションを実施しリザーバ効果を考慮しつつ閾電流密度を評価することにより配線の信頼性を評価するシミュレーション方法等を提供する。 |
| 効果 |
リザーバ構造を有するビア接続の多層配線について、ボイドの発生に至るＥＭ損傷過程の本数値シミュレーションを実施し、リザーバ効果を考慮しつつ閾（許容）電流密度を評価することにより配線の信頼性を評価するシミュレーション方法等を提供することができる。
また、本発明は、ビア接続を有する多層配線（特に集積回路配線）における許容電流密度の向上（増加）に適用することができる。 |
技術概要
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電流密度分布および温度分布を２次元ＦＥ分析により計算する。上記解析結果と薄膜特性とから各要素における支配パラメータ（ＡＦＤ↑＊↓（ｇｅｎ｜ｅｎｄ）、ＡＦＤ↑＊↓（ｇｅｎ））を計算する。θに関する原子濃度Ｎ↑＊を支配パラメータの値に基づき計算する。各要素における原子濃度Ｎはすべてのθの値についてのＮ↑＊の平均により計算する。定常状態に達するまで繰返し計算のための設定を行った後、支配パラメータの計算を繰返す。リザーバ構造を有するビア接続の多層配線構造において、陰極端のビア側にのみリザーバを設け、当該多層配線内部の最小原子濃度を増加させることにより、多層配線の許容電流密度を増加させることができる。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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