熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法

開放特許情報番号
L2014001206
開放特許情報登録日
2014/7/14
最新更新日
2017/5/15

基本情報

出願番号 特願2012-196584
出願日 2012/9/6
出願人 国立大学法人弘前大学
公開番号 特開2014-053432
公開日 2014/3/20
登録番号 特許第6090975号
特許権者 国立大学法人弘前大学
発明の名称 熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法
目的 半導体薄膜において、EMの導入により保護膜の有無によって熱電材料内部の応力状態が変化し熱電効果に影響を与えることを確認することにより、熱電半導体装置の発電能力を向上させる熱電能向上方法等を提供する。
効果 本発明の熱電半導体装置の熱電能向上方法等によれば、絶縁性基板上に形成された熱電半導体と、当該熱電半導体上に形成された保護被膜とを有する熱電半導体装置の発電能力を向上させることができる。
また、本発明は、熱電発電、熱電冷却等における発電能力向上に適用することができる。
技術概要
Bi−Sb−Te試験片10にポリイミド保護被膜12がある場合は無い場合と比較して、EMの導入により熱電能が増加することを発見した。ポリイミド保護被膜12があるときの熱電能の増加は、試験片10内の応力勾配に起因していると考えられる。S↓iO↓2被覆基板11上に形成された試験片10と試験片10上に形成されたポリイミド保護被膜12とを有する熱電半導体装置15において、試験片10の一端側を陰極側とし他の一端側を陽極側として所定の高密度電流を通電しEMを導入することにより、熱電半導体装置15の熱電能を向上させることができる。
実施実績 【試作】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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