| 出願番号 |
特願2012-196584 |
| 出願日 |
2012/9/6 |
| 出願人 |
国立大学法人弘前大学 |
| 公開番号 |
特開2014-053432 |
| 公開日 |
2014/3/20 |
| 登録番号 |
特許第6090975号 |
| 特許権者 |
国立大学法人弘前大学 |
| 発明の名称 |
熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
熱電半導体装置の熱電能向上方法および熱電能試験方法 |
| 目的 |
半導体薄膜において、ＥＭの導入により保護膜の有無によって熱電材料内部の応力状態が変化し熱電効果に影響を与えることを確認することにより、熱電半導体装置の発電能力を向上させる熱電能向上方法等を提供する。 |
| 効果 |
本発明の熱電半導体装置の熱電能向上方法等によれば、絶縁性基板上に形成された熱電半導体と、当該熱電半導体上に形成された保護被膜とを有する熱電半導体装置の発電能力を向上させることができる。
また、本発明は、熱電発電、熱電冷却等における発電能力向上に適用することができる。 |
技術概要
 |
Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅ試験片１０にポリイミド保護被膜１２がある場合は無い場合と比較して、ＥＭの導入により熱電能が増加することを発見した。ポリイミド保護被膜１２があるときの熱電能の増加は、試験片１０内の応力勾配に起因していると考えられる。Ｓ↓ｉＯ↓２被覆基板１１上に形成された試験片１０と試験片１０上に形成されたポリイミド保護被膜１２とを有する熱電半導体装置１５において、試験片１０の一端側を陰極側とし他の一端側を陽極側として所定の高密度電流を通電しＥＭを導入することにより、熱電半導体装置１５の熱電能を向上させることができる。 |
| 実施実績 |
【試作】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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