ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長

開放特許情報番号
L2014001138
開放特許情報登録日
2014/7/4
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2007-515412
出願日 2005/5/31
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2005/122267
公開日 2005/12/22
登録番号 特許第5461773号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ハイドライド気相成長法による平坦で低転位密度のm面窒化ガリウムの成長
技術分野 無機材料、金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 平坦なm面窒化ガリウム(GaN)膜の成長と作製
目的 HVPEによる高品質m面GaNの成長技術を初めて提供する。
効果 大部分が水素であるキャリア・ガスを用いての低圧力成長を応用することで、HVPE法による平坦なm面GaN膜の成長を初めて可能にした。
低減された欠陥密度をもつ非極性GaNは、この技術を用いて成長したテンプレート膜上に続いて成長させた電子、光電子、及び電気機械的デバイスの改良に役立つであろう。本明細書で説明した選択横方向成長膜は、剥離して自立基板とすることができる厚い非極性GaN膜における転位密度を低減するための優れた手段を更に提供する。
技術概要
(a)成長表面である平坦なm面GaN膜を得るための該m面表面平坦なm面GaN膜の直接成長を得る工程、および
(b)前記成長表面からの前記m面GaN膜の引き続く選択横方向成長(LEO)を行うことにより、前記平坦なm面GaN膜中の貫通転位と欠陥の密度を低減し、かつ、RMS表面粗さが少なくとも5×5μmの面積にわたって6Å未満である工程
を備えたことを特徴とする、平坦なm面窒化ガリウム(GaN)膜を成長する方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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