光路変換部品の製造方法及び光路変換部品

開放特許情報番号
L2014001074
開放特許情報登録日
2014/6/17
最新更新日
2015/12/25

基本情報

出願番号 特願2014-063876
出願日 2014/3/26
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-185816
公開日 2015/10/22
発明の名称 光路変換部品の製造方法及び光路変換部品
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光集積回路や装置
目的 シリコン基板として広く採用されている、(100)面をウエハ面としたものを使用しながらも、深い反射面を備える光路変換部品を実現するとともに、平滑でしかもアンダーカットの少ない半導体光路変換部品の製造を可能にする。
効果 シリコン基板として広く採用されている、(100)面をウエハ面としたものを使用しながらも、エッチング期間の選定により、基板に対し45°傾斜した所望の深さを有し、反射率の高いマイクロミラーを低コストで製造することが可能になる。本発明によれば、所望の深さを有し、反射率の高いマイクロミラーを低コストで製造することが可能になるので、マイクロミラー形成方法、あるいは、光路変換部品として広く採用されることが期待できる。
技術概要
本発明の方法は、光路変換部品を製造する方法であって、(100)面をウエハ面としたシリコン基板に対し、反射面が<100>軸と平行となるようエッチングマスクのパターンを形成する工程と、前記シリコン基板を、界面活性剤、ポリエチレングリコール及びアルコールの少なくとも1つ以上を添加した、第4級水酸化アンモニウム水溶液に浸漬し、前記水溶液の温度を、エッチング期間の間65℃以上で75℃以下の温度範囲に制御して異方性エッチングすることにより、前記ウエハ面に対し45°の傾斜をもつ(110)面の反射面を形成するエッチング工程を、少なくとも具備することを特徴とする。前記エッチング工程の終了後、エッチングにより形成された前記反射面に、金属又は誘電体多層膜からなる反射膜を形成する工程を付加してもよい。本発明の光路変換部品は、シリコン基板上に載置されたレーザ発光素子に対し、反射面を備えた光路変換部品であって、前記反射面が、前記シリコン基板のウエハ面の(100)面に対し45°傾斜した(110)面であり、200μm以上の深さを有することを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT