シリコン基板の加工方法

開放特許情報番号
L2014001073
開放特許情報登録日
2014/6/17
最新更新日
2015/12/25

基本情報

出願番号 特願2014-061923
出願日 2014/3/25
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-185747
公開日 2015/10/22
発明の名称 シリコン基板の加工方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 逆テーパ形の孔加工を与え得るシリコン基板の加工方法
目的 プラズマエッチングによって孔加工を与えるシリコン基板の加工方法において、特に、逆テーパ形の孔加工であっても精度良く高い制御性で加工可能なシリコン基板の加工方法を提供すること。
効果 逆テーパ形の深い孔加工であっても安定して精度良く加工可能である。
特別なプロセスを与えることなく、逆テーパ形の深い孔加工であっても安定して精度良く加工可能である。
技術概要
本発明によるシリコン基板の加工方法は、シリコン基板上のマスク窓を介してプラズマエッチングによってその下部に逆テーパ形の孔加工を与える方法であって、セルフバイアスを印加しつつ前記シリコン基板に孔をエッチング加工するエッチング工程と、前記孔の内面を覆うように保護膜を与える保護膜付与工程と、を交互に繰り返し与え、前記エッチング工程では、前記孔の底部の前記保護膜を除去しつつその間隙を介して前記シリコン基板をエッチングし、前記保護膜付与工程を挟む直前及び直後の前記エッチング工程では、前記保護膜の除去される前記間隙の面積をより大とすることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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