トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014001061
開放特許情報登録日
2014/6/17
最新更新日
2017/8/29

基本情報

出願番号 特願2016-507421
出願日 2015/2/20
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2015/137081
公開日 2015/9/17
発明の名称 トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 トンネル電界効果トランジスタによる集積回路及びその製造方法
目的 2つのトンネル電界効果トランジスタを電気的に接続した回路の形成に必要な面積及びコストを減少させ、かつ、寄生容量・寄生抵抗も減少させる。
効果 2つの活性領域の間を跨ぐように配設された金属配線によって、一方のトンネル電界効果トランジスタのドレイン領域と他方のトンネル電界効果トランジスタのソース領域とを接続する構成に比べて、必要とする面積が小さくなり、コスト削減につながり、また配線による寄生容量・寄生抵抗も削減できる。
技術概要
トンネル電界効果トランジスタによる集積回路は、第1のP型領域及び第1のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第1のトンネル電界効果トランジスタと、第2のP型領域及び第2のN型領域の一方がソース領域、他方がドレイン領域として動作する第2のトンネル電界効果トランジスタとが、同一極性で一つの活性領域に形成されるとともに前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが隣接するように形成され、隣接する前記第1のP型領域と前記第2のN型領域とが金属半導体合金膜により電気的に接続されていることを特徴とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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