シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法

開放特許情報番号
L2014000947
開放特許情報登録日
2014/5/22
最新更新日
2014/11/28

基本情報

出願番号 特願2013-232353
出願日 2013/11/8
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2014-168043
公開日 2014/9/11
発明の名称 シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、検査・検出
適用製品 シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値の決定方法
目的 シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値を決定するための新たな方法を提供する。
効果 シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値を決定することができ、シリコンウェーハ中の原子空孔濃度の絶対値を表示したシリコンウェーハの提供が可能となる。
技術概要
シリコン試料の弾性定数の低温ソフト化量ΔC↓44/C↓44を測定する測定工程と、測定工程で測定された低温ソフト化量ΔC↓44/C↓44に基いてシリコンウェーハ中の原子空孔濃度Nの絶対値を決定する決定工程とを備えた。決定工程において、低温ソフト化量ΔC↓44/C↓44=1×10↑−4に対して原子空孔濃度N=(1.5±0.2)×10↑13/cm↑3が相当することに基いて原子空孔濃度Nを決定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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