シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置

開放特許情報番号
L2014000946
開放特許情報登録日
2014/5/22
最新更新日
2014/11/28

基本情報

出願番号 特願2013-232352
出願日 2013/11/8
出願人 国立大学法人 新潟大学
公開番号 特開2014-168042
公開日 2014/9/11
発明の名称 シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 シリコンウェーハ表層中の原子空孔評価方法及び装置
目的 シリコンウェーハ表層中の原子空孔を評価するための新たな方法と装置を提供する。
効果 シリコンウェーハ内部の原子空孔濃度とは区分して、シリコンウェーハ表層中の原子空孔濃度を計測することができる。
技術概要
シリコン試料6の同一面に圧電薄膜29,30を介して一対の櫛状の櫛状電極31,32を形成する素子形成工程と、シリコン試料6を冷却して外部磁場を印加しながら櫛状電極の一方31から超音波パルスを発振するとともにシリコン試料6の表面を伝播した超音波パルスを櫛状電極の他方32により受信し、櫛状電極の一方31から発振された超音波パルスと櫛状電極の他方32により受信された超音波パルスとの位相差を検出する検出工程と、位相差に基づきシリコン試料6の表層の弾性定数を求め、温度に対する弾性定数の変化又は磁場強度に対する弾性定数の変化に基づいてシリコン試料6の表層中の原子空孔を評価する評価工程とを備えた。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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