出願番号 |
特願2014-033068 |
出願日 |
2014/2/24 |
出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
公開番号 |
特開2014-187362 |
公開日 |
2014/10/2 |
登録番号 |
特許第6325280号 |
特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
発明の名称 |
圧電MEMSデバイスおよびその製造方法 |
技術分野 |
電気・電子 |
機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
適用製品 |
MEMSデバイスおよびその製造方法 |
目的 |
圧電デバイスに関し、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、圧電薄膜に亀裂を生じさせることなく信頼性をも確保する。 |
効果 |
薄膜構造体を有するMEMSデバイスに交流電圧印加処理が適用されることをもって、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、信頼性をも確保することができる。
本発明の圧電MEMSデバイスは、例えばセンサ業界、印刷業界、無線センサ業界などの各種の産業分野において、ジャイロ、インクジェットヘッド、RF−MEMSスイッチ、リレースイッチ、無線センサ端末起動スイッチ、振動発電素子などに広く利用できる。 |
技術概要
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圧電MEMSデバイス1は、半導体加工プロセスにより作製される機械要素を含む構造体20と、構造体20を支持する支持基板10と、構造体20により支持されるPZT薄膜21と、を備えている。構造体20は、支持基板10の支持面10S上に支持されるレバー基端部22Aと、支持面10Sを超えて延在するレバー先端部22Bと、を有している。PZT薄膜21は、構造体20において少なくともレバー先端部22Bに設けられているとともに、支持基板10の成形後に行われる交流電圧印加処理によりc軸配向性が高められている。 |
実施実績 |
【無】 |
許諾実績 |
【無】 |
特許権譲渡 |
【否】
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特許権実施許諾 |
【可】
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