| 出願番号 |
特願2014-033068 |
| 出願日 |
2014/2/24 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2014-187362 |
| 公開日 |
2014/10/2 |
| 登録番号 |
特許第6325280号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
圧電ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
ＭＥＭＳデバイスおよびその製造方法 |
| 目的 |
圧電デバイスに関し、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、圧電薄膜に亀裂を生じさせることなく信頼性をも確保する。 |
| 効果 |
薄膜構造体を有するＭＥＭＳデバイスに交流電圧印加処理が適用されることをもって、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、信頼性をも確保することができる。
本発明の圧電ＭＥＭＳデバイスは、例えばセンサ業界、印刷業界、無線センサ業界などの各種の産業分野において、ジャイロ、インクジェットヘッド、ＲＦ−ＭＥＭＳスイッチ、リレースイッチ、無線センサ端末起動スイッチ、振動発電素子などに広く利用できる。 |
技術概要
 |
圧電ＭＥＭＳデバイス１は、半導体加工プロセスにより作製される機械要素を含む構造体２０と、構造体２０を支持する支持基板１０と、構造体２０により支持されるＰＺＴ薄膜２１と、を備えている。構造体２０は、支持基板１０の支持面１０Ｓ上に支持されるレバー基端部２２Ａと、支持面１０Ｓを超えて延在するレバー先端部２２Ｂと、を有している。ＰＺＴ薄膜２１は、構造体２０において少なくともレバー先端部２２Ｂに設けられているとともに、支持基板１０の成形後に行われる交流電圧印加処理によりｃ軸配向性が高められている。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)