圧電MEMSデバイスおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2014000888
開放特許情報登録日
2014/5/19
最新更新日
2017/2/17

基本情報

出願番号 特願2014-033068
出願日 2014/2/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-187362
公開日 2014/10/2
発明の名称 圧電MEMSデバイスおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 MEMSデバイスおよびその製造方法
目的 圧電デバイスに関し、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、圧電薄膜に亀裂を生じさせることなく信頼性をも確保する。
効果 薄膜構造体を有するMEMSデバイスに交流電圧印加処理が適用されることをもって、結晶配向性に基づいて圧電特性を向上させながら、信頼性をも確保することができる。
本発明の圧電MEMSデバイスは、例えばセンサ業界、印刷業界、無線センサ業界などの各種の産業分野において、ジャイロ、インクジェットヘッド、RF−MEMSスイッチ、リレースイッチ、無線センサ端末起動スイッチ、振動発電素子などに広く利用できる。
技術概要
圧電MEMSデバイス1は、半導体加工プロセスにより作製される機械要素を含む構造体20と、構造体20を支持する支持基板10と、構造体20により支持されるPZT薄膜21と、を備えている。構造体20は、支持基板10の支持面10S上に支持されるレバー基端部22Aと、支持面10Sを超えて延在するレバー先端部22Bと、を有している。PZT薄膜21は、構造体20において少なくともレバー先端部22Bに設けられているとともに、支持基板10の成形後に行われる交流電圧印加処理によりc軸配向性が高められている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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