抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2014000843
開放特許情報登録日
2014/5/14
最新更新日
2014/5/14

基本情報

出願番号 特願2012-092619
出願日 2012/4/16
出願人 学校法人日本大学
公開番号 特開2013-222784
公開日 2013/10/28
発明の名称 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法
目的 絶縁性基板上の金属電極に形成されたアルミニウム薄膜あるいはアルミニウム基板自身を酸化したアルミニウム酸化物を絶縁膜とする、スイッチングの性能に優れた抵抗変化型不揮発性メモリを提供する。
効果 抵抗変化メモリの絶縁膜として陽極酸化アルミナを選択した場合、この絶縁膜の低抵抗化を実現することで、スイッチングの性能に優れた抵抗変化型不揮発性メモリを提供できる。
また、本発明については、USBメモリ、SDメモリなどに応用可能であろう。
技術概要
アルミニウム板を陽極酸化させることでポーラスアルミナを作製し、その部分の絶縁膜の低抵抗化を図ることで、あたかもアルミニウム層/陽極酸化アルミナ層/アルミニウム層の3層で構成される平面メモリ素子を形成し、スイッチング電圧のバラツキが少ない高集積の抵抗変化メモリを形成する。そこでパルス電圧印加メッキ法に基づき、硫酸水溶液中でアルミニウム金属板を陽極酸化させ、酸化物中に格子欠陥や金属イオン導入を行ってポーラスアルミナを作製し、前記の3層で構成される平面メモリ素子を形成するとともに、整列形成されるポーラスアルミナ層のナノホールによって隣接区画される6角格子の交点部分をフィラメントとして構成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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