SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板

開放特許情報番号
L2014000780
開放特許情報登録日
2014/5/8
最新更新日
2015/4/23

基本情報

出願番号 特願2013-097609
出願日 2009/5/12
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2013-155111
公開日 2013/8/15
登録番号 特許第5688780号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 SiC基板、炭素供給フィード基板及び炭素ナノ材料付きSiC基板
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 多結晶SiC基板上に単結晶SiCをエピタキシャル成長させる技術
目的 分子レベルで平坦化された単結晶SiC基板を提供する。
効果 ヘテロ結晶多形の単結晶SiCを、半導体デバイス1チップサイズの複数の領域ごとに成長させることができる。また、単結晶エピタキシャル成長層の表面に現れる欠陥を良好に抑制し、歩留まりの向上を実現できる。
導電材である熱分解グラファイトと、絶縁材である窒化アルミニウムと、を使い分けることができ、窒化アルミニウムを絶縁膜として機能させることで、プロセスの簡略化を実現できる。
高濃度エピタキシャル層又は高純度活性層エピタキシャル層付きSiC基板の製造を効率的に行うことができる。
製造コストを低減することができる。
技術概要
製造方法は、溝形成工程と、マスク工程と、液相エピタキシャル成長工程と、を含む。溝形成工程では、SiC多結晶基板の表面を半導体デバイス1チップサイズの複数の領域に分割するように当該SiC多結晶基板に溝加工を施す。マスク工程では、溝形成工程によって形成された複数の領域のそれぞれについてマスク部材によってマスクを施し、マスクの領域の中央部にあたる部分に微小な開口部を形成する。液相エピタキシャル成長工程では、シード基板となる溝加工を施したSiC多結晶基板の開口部に準安定溶媒エピタキシー法でヘテロ結晶多形の4H−SiC単結晶を垂直方向及び水平方向にエピタキシャル成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT