プラズマエッチング装置
- 開放特許情報番号
- L2014000620
- 開放特許情報登録日
- 2014/4/11
- 最新更新日
- 2014/4/11
基本情報
| 出願番号 | 特願2010-131234 |
|---|---|
| 出願日 | 2010/6/8 |
| 出願人 | 日本放送協会 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2011/12/22 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 日本放送協会 |
| 発明の名称 | プラズマエッチング装置 |
| 技術分野 | 電気・電子、情報・通信 |
| 機能 | 機械・部品の製造 |
| 適用製品 | プラズマエッチング装置 |
| 目的 | 磁性金属薄膜その他プラズマに対して不安定な薄膜及び基板をエッチングする際に、表面平坦性良くエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供する。 |
| 効果 | 本発明によれば、磁性金属薄膜その他プラズマに対して不安定な薄膜及び基板をエッチングする際に、表面平坦性良くエッチングすることができる。 |
技術概要) |
チャンバ２０と、基板Ｗを保持する保持部３０と、処理ガス供給部４０と、高周波電力供給部６０と、保持部３０に保持されている基板Ｗと対向する所定位置Ｐ１に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第１の磁界Ｈ１を印加可能な第１の磁界印加部７０と、第１の磁界印加部７０の基板Ｗ側に設けられており、基板Ｗの表面に略平行な第２の磁界を印加可能な第２の磁界印加部８０と、発生したプラズマが安定するまで、第１の磁界Ｈ１によりプラズマを閉じ込め、発生したプラズマが安定した後、第１の磁界Ｈ１の印加の停止後または停止直前に、第２の磁界を印加することによって、プラズマを基板Ｗ側に移動させ、プラズマを基板Ｗに接触させる、制御部１１０とを有する。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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