n+型Ge半導体層形成方法およびオーミック接触構造

開放特許情報番号
L2014000595
開放特許情報登録日
2014/4/3
最新更新日
2014/4/3

基本情報

出願番号 特願2012-184731
出願日 2012/8/24
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2014-041987
公開日 2014/3/6
発明の名称 n+型Ge半導体層形成方法およびオーミック接触構造
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 n↑+型Ge半導体層形成方法およびオーミック接触構造
目的 安価なプロセスにより、電極層とn−Ge層の接触抵抗を低減するn↑+型Ge半導体層形成方法およびオーミック接触構造を提供する。
効果 本発明によれば、安価なプロセスにより、Sb濃度が10↑(19)cm↑(−3)以上のn↑+型Ge層を形成でき、電極層とn型Ge層の接触抵抗を低減するオーミック接触を提供することができる。
プロセス温度が低いので基板は熱の影響を受けにくく、また直流スパッタエピタキシャル法は環境負荷が小さく、低コストである。更に大面積化への対応が簡単なので工業化に適している。
技術概要
GeとSbとを同時に直流スパッタ堆積法により所定基板上にエピタキシャル成長させ、電子濃度が10↑(19)cm↑(−3)以上のn↑+型Ge層を形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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