電流増幅素子および電流増幅方法

開放特許情報番号
L2014000506
開放特許情報登録日
2014/3/11
最新更新日
2016/8/22

基本情報

出願番号 特願2008-527786
出願日 2007/8/2
出願人 国立大学法人広島大学、国立大学法人信州大学
公開番号 WO2008/016103
公開日 2008/2/7
登録番号 特許第5283119号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 電流増幅素子および電流増幅方法
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、材料・素材の製造
適用製品 電流増幅素子および電流増幅方法
目的 従来の半導体素子よりも高速で動作する電流増幅素子を提供する。
効果 本発明の電流増幅素子は、入力インピーダンスの周波数依存性に起因する遮断周波数の上限を規定する要因が無く、非常に高速に作動することが可能になる。
従来の入力インピーダンスによって遮断周波数が決定してしまう電流増幅素子に比べて高い遮断周波数が得られ、光通信システムにおける増幅素子や高周波アナログ無線システムにおける増幅素子等として有用である。
技術概要
入力電流路60にはX方向に入力電流が流れ、それと直交するZ方向には、磁石90から生じた磁場が印加されている。入力電流路60の下方には絶縁膜80を介して出力電流路70が形成されている。出力電流の流れる向きは入力電流と磁場の両方に直交しているので、入力電流と磁場とによる電流磁気効果が働いて電流が増幅される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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