| 出願番号 |
特願2010-525664 |
| 出願日 |
2009/8/10 |
| 出願人 |
岩谷産業株式会社、国立大学法人京都大学 |
| 公開番号 |
WO2010/021265 |
| 公開日 |
2010/2/25 |
| 登録番号 |
特許第5575648号 |
| 特許権者 |
岩谷産業株式会社、国立大学法人京都大学 |
| 発明の名称 |
クラスタ噴射式加工方法 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
クラスタ噴射式加工方法、半導体素子、微小電気機械素子、光学部品 |
| 目的 |
電気的に中性な反応性クラスタを用いた試料の加工方法を提供する。 |
| 効果 |
試料の加工の際に、反応性ガスと反応性ガスより低沸点なガスを用いて反応性クラスタを形成することにより、反応性クラスタが試料に衝突し、試料と反応することにより、試料表面を加工することができる。このため、電界や磁界を加えてガスクラスタをイオン化する必要がなく、且つ、クラスタを電気的に中性にする必要がない。よって、試料への電気的なダメージを与えない。さらに、側壁方向への反応性クラスタの引き込みが発生せず、異方性エッチングの深さ方向への直進性が向上する。 |
技術概要
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反応性ガスと、反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガスを、液化しない範囲の圧力で、所定の方向に断熱膨張させながら噴出させ、反応性クラスタを生成し、前記反応性クラスタを真空処理室内の試料に噴射して試料表面を加工する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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