不揮発機能メモリ装置

開放特許情報番号
L2014000473
開放特許情報登録日
2014/3/5
最新更新日
2016/11/25

基本情報

出願番号 特願2012-068832
出願日 2012/3/26
出願人 国立大学法人東北大学
公開番号 特開2013-200920
公開日 2013/10/3
登録番号 特許第6004465号
特許権者 国立大学法人東北大学
発明の名称 不揮発機能メモリ装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 不揮発機能メモリ装置、不揮発TCAMセル及び不揮発TCAMワード回路
目的 遅延時間を短縮した不揮発TCAMセル及び不揮発TCAMワード回路を提供する。
効果 遅延時間を短縮し、エネルギー消費低減させた不揮発TCAMセル及び不揮発TCAMワード回路を得ることができる。
また、本発明によれば、差動形センスアンプのような大きな面積を必要とするセンスアンプを用いることなく、コンパクトなシングルエンド形センスアンプで十分に演算結果を検出することができる。
技術概要
第1の接続点に一端を接続されるとともにそれぞれのゲートが第1及び第2のサーチラインに接続された選択用の第1及び第2MOSトランジスタと、該第1及び該第2MOSトランジスタの他端にそれぞれその一端が接続され、その他端がビットライン又はGNDに接続されている第2の接続点に接続されたスピン注入型の第1及び第2のMTJ素子と、該第1及び該第2のMTJ素子のそれぞれの一端に接続されるとともにそのゲートがそれぞれワードラインに接続され、MTJ素子への書き込みを行う第3及び第4MOSトランジスタと、マッチラインとGNDとの間に配置された第5MOSトランジスタと、該第1の接続点と該第5MOSトランジスタのゲートとの間に配置されたセンスアンプとを備えた不揮発TCAMセル及び不揮発TCAMワード回路。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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