半導体光素子

開放特許情報番号
L2014000365
開放特許情報登録日
2014/2/19
最新更新日
2014/8/27

基本情報

出願番号 特願2012-289267
出願日 2012/12/30
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2013-102182
公開日 2013/5/23
登録番号 特許第5561629号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 半導体光素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体光素子
目的 デバイス品質の良好なInN/GaNヘテロ構造の新規な半導体光素子を提供する。
効果 本発明により、新規な半導体光素子を提供することができる。
半導体光素子の活性層において、InN/GaN多重量子井戸構造を用いることで、結晶品質の低下、組成分離の影響を根本から防ぎ、In組成を容易に制御・増加させることができる。
本発明に係る半導体光素子は、LDやLEDとして産業上利用可能である。また更に、受光素子や電子デバイス等広範な分野においても利用が可能である。
技術概要
基板1、n型コンタクト層2、n型クラッド層3、n型ガイド層4、活性層5、p型ガイド層6、p型クラッド層7、p型コンタクト層8を順に積層して構成されている。またn型コンタクト層3上には第一の電極9が、p型コンタクト層9上には第二の電極10が形成されており、第一と第二の電極の間に電圧を印加することで活性層5に正孔及び電子を注入し、発光させることが可能である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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