高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造方法

開放特許情報番号
L2014000270
開放特許情報登録日
2014/2/6
最新更新日
2015/6/26

基本情報

出願番号 特願2013-220816
出願日 2013/10/24
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-082624
公開日 2015/4/27
発明の名称 高コントラスト位置合わせマークを備えたモールドの製造方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 モールドの製造技術
目的 位置合わせ用の高コントラスト膜が位置合わせ用凹部内に存在するナノインプリント用モールドを簡単な工程で製造する。
効果 本発明の製造方法により製造されたナノインプリント用モールドは、光インプリント法に用いるのが最も好適であるが、熱インプリント法などの他のナノインプリント法にも使用することができる。
本発明の製造方法により製造されたナノインプリント用モールドは、半導体デバイス、マイクロセンサ等だけでなく、様々な分野の微細凹凸パターンの形成にも幅広く使用することができる。
技術概要
インプリント面に、デバイスパターン用の凹凸が形成されたデバイスパターン領域と、位置合わせマーク用の位置合わせマーク領域とを有し、基板上の薄膜にデバイスパターン用凹凸を形成するのに用いるナノインプリント用モールドの製造方法であって、少なくとも次の(1)〜(3)の工程を含むことを特徴とするナノインプリント用モールドの製造方法。
(1)ドライエッチング用マスクパターン膜を使用し、前記デバイスパターン用の凹凸と位置合わせマーク用の凹部とをドライエッチングにより形成するドライエッチング工程
(2)前記ドライエッチング工程後、前記ドライエッチング用マスクパターン膜を除去せずに、前記位置合わせマーク用の凹部の内部と凹部周辺の前記マスクパターン膜上に、前記薄膜の材料及び/又は前記モールドの材料に対し高コントラストとなる材料製の高コントラスト膜を形成する高コントラスト膜形成工程
(3)前記マスクパターン膜をその上の高コントラスト膜とともに除去し、前記凹部の内部にのみ高コントラスト膜を残存させるマスクパターン膜除去工程
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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