絶縁膜の形成方法、絶縁膜付き基板、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び無機エレクトロルミネッセンス素子

開放特許情報番号
L2014000177
開放特許情報登録日
2014/1/24
最新更新日
2014/1/24

基本情報

出願番号 特願2009-203554
出願日 2009/9/3
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2011-054468
公開日 2011/3/17
登録番号 特許第5238648号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 絶縁膜の形成方法、絶縁膜付き基板、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び無機エレクトロルミネッセンス素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 絶縁膜の形成方法、絶縁膜付き基板、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び無機エレクトロルミネッセンス素子
目的 簡素な手法を用いて、低コストで基板にダメージを与えることなく高品質の絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法、絶縁膜付き基板、無機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び無機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。
効果 下地に悪影響を与えることなく絶縁膜を簡便に形成することができる。
本発明は、絶縁膜を含むコンデンサ、トランジスタ、発光素子等の電子デバイス及びそれらの基板、並びにそれらの製造プロセスに利用することができる。
技術概要
発光層上に絶縁膜を直接形成する絶縁膜の形成方法であって、
前記発光層上に、ナノ粒子を含む分散溶液を塗布する塗布工程と、
前記発光層上に塗布された前記分散溶液に含まれる前記ナノ粒子を酸素雰囲気下に暴露する酸化工程と、を含むことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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