酸化物膜及びその製造方法

開放特許情報番号
L2014000130
開放特許情報登録日
2014/1/21
最新更新日
2016/10/20

基本情報

出願番号 特願2012-068695
出願日 2012/3/26
出願人 学校法人 龍谷大学
公開番号 特開2013-199682
公開日 2013/10/3
登録番号 特許第5996227号
特許権者 学校法人 龍谷大学
発明の名称 酸化物膜及びその製造方法
技術分野 金属材料、化学・薬品、電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物膜及びその製造方法
目的 p型の導電膜及びp型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。
効果 本発明の1つの酸化物膜の製造方法によれば、従来と比して広い禁制帯幅を有しながら、p型の高い導電性を備えた酸化物膜が得られる。また、この酸化物は、膜状のときに、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状となって、そのp型としての高い導電性を発揮する。加えて、この酸化物膜の製造方法によれば、その酸化物膜が微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるため、大型基板上に容易に形成され得ることから、工業生産にも適した酸化物膜が得られる。
技術概要
銀(Ag)及びニッケル(Ni)からなる酸化物の膜(不可避不純物を含み得る)であって、微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、p型の導電性を有する、
酸化物膜。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人龍谷大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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