液晶光学素子およびその製造方法

開放特許情報番号
L2014000069
開放特許情報登録日
2014/1/13
最新更新日
2014/1/13

基本情報

出願番号 特願2009-111210
出願日 2009/4/30
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2010-262061
公開日 2010/11/18
登録番号 特許第5264613号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 液晶光学素子およびその製造方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 液晶光学素子およびその製造方法
目的 簡便な構造および簡便な工程により、液晶層中の液晶分子の配向状態を、速やかに、安定に転移させることができるとともに、安定にベンド配向状態を保持することができるようにした液晶光学素子およびその製造方法を提供する。
効果 低い電気エネルギーでも、スプレイ配向からベンド配向への転移が、迅速、かつ確実に行われる液晶光学素子を構成することができる。
低電圧印加で安定して高速に転移動作が実現でき、同時に、初期転移後に電圧無印加の状態でも安定なベンド配向を得て、転移不要の高速動作のπセルを構成することができる。
また、駆動電圧のない初期配向状態においても、特別な駆動回路が不要となり、簡素化が図れる。
本発明によれば、薄膜領域を所定のパターンに簡易に形成することができ、高速転移特性を有する液晶光学素子を安定に確実に製造することができる。
技術概要
第1基板11aの一面上に形成される第1電極12a上に形成される第1配向膜13aと、第1基板と対向する第2基板11bの一面上に形成される第2電極12b上に形成される第2配向膜13bと、第1基板と第2基板との間に介在される液晶層14とを備え、第1配向膜および第2配向膜の少なくとも一方の配向膜に、この配向膜の表面自由エネルギー値より小さい値の表面自由エネルギー値を持つ薄膜領域15をパターン状に有する液晶光学素子10を構成する。薄膜領域部分が転移核となり、低い電気エネルギーでベンド配向への転移が迅速、確実に行われる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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