目的
従来のＭＯＳ型シリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、かつ、新たな動作原理に基づきＮＡＮＤフラッシュデバイスの性能を上回る高性能化を実現する。
効果
本発明によれば、金属／絶縁膜／半導体キャパシタ構造において、外部電気刺激によりキャパシタ内の１分子層程度の極めて狭い領域の原子移動現象を応用した動作原理に基づき、従来のＮＡＮＤフラッシュデバイス等のＭＯＳ型シリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、しかもＮＡＮＤフラッシュデバイスの性能を上回る高性能化が期待できる不揮発性記憶素子を実現できる。
技術概要
半導体基板上に絶縁膜及び金属電極が積層されたキャパシタ構造中の、前記絶縁膜と前記半導体基板との界面に、前記絶縁膜を構成する金属元素以外の金属元素(Ｍ↓1)と酸素と半導体とが化学結合された単分子層程度のＭ↓1-Ｏ-Ｓ層を備え、
外部電気刺激によって前記Ｍ↓1-Ｏ-Ｓ層が誘起する界面ダイポールの強度又は極性を変化させることで情報を記憶することを特徴とする不揮発性記憶素子。
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