| 出願番号 |
特願2013-192920 |
| 出願日 |
2013/9/18 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2015-060911 |
| 公開日 |
2015/3/30 |
| 登録番号 |
特許第6145756号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
不揮発性記憶素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
不揮発性記憶素子 |
| 目的 |
従来のＭＯＳ型シリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、かつ、新たな動作原理に基づきＮＡＮＤフラッシュデバイスの性能を上回る高性能化を実現する。 |
| 効果 |
本発明によれば、金属／絶縁膜／半導体キャパシタ構造において、外部電気刺激によりキャパシタ内の１分子層程度の極めて狭い領域の原子移動現象を応用した動作原理に基づき、従来のＮＡＮＤフラッシュデバイス等のＭＯＳ型シリコンデバイスの構造及び構成元素に大幅な変更を加えることなく製造が可能であり、しかもＮＡＮＤフラッシュデバイスの性能を上回る高性能化が期待できる不揮発性記憶素子を実現できる。 |
技術概要
 |
半導体基板上に絶縁膜及び金属電極が積層されたキャパシタ構造中の、前記絶縁膜と前記半導体基板との界面に、前記絶縁膜を構成する金属元素以外の金属元素(Ｍ↓1)と酸素と半導体とが化学結合された単分子層程度のＭ↓1-Ｏ-Ｓ層を備え、
外部電気刺激によって前記Ｍ↓1-Ｏ-Ｓ層が誘起する界面ダイポールの強度又は極性を変化させることで情報を記憶することを特徴とする不揮発性記憶素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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