光デバイス

開放特許情報番号
L2013002655
開放特許情報登録日
2013/12/27
最新更新日
2017/8/29

基本情報

出願番号 特願2015-536580
出願日 2014/9/9
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2015/037577
公開日 2015/3/19
発明の名称 光デバイス及びその製造方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 光デバイス
目的 アモルファス構造で、屈折率が1.6以上で消衰係数が10の−5乗程度以下の光学特性を示す材料を備える光デバイスを実現する。
波長470nm乃至1700nm、特に、光通信の波長帯である0.8ミクロン〜1.6ミクロンの波長の領域において、優れた光学特性を示す光導波路や光フィルター等の伝送用デバイスを提供する。
効果 初めて優れた光学特性を有するIn−Ga−Zn−O系アモルファス酸化物を実現し、光導波路や光フィルター等の光デバイスを提供できる。
容易に光伝送デバイスを立体的に多層に積み重ねたり、立体交差させたりすることが可能になる。そのため複数の光導波路を接続して光信号を同期させたり変調をかけたりモニターしたりすることが容易になる。
光デバイスの製造工程をオールドライプロセスで行うことが可能となる。
技術概要
波長480nm乃至1700nmにおける屈折率が1.6以上2.1以下で消衰係数が1×10−23以上1×10−4未満である、インジウム、ガリウム及び亜鉛を含むアモルファス酸化物を、備えることを特徴とする光デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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