| 出願番号 |
特願2013-205154 |
| 出願日 |
2013/9/30 |
| 出願人 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 |
特開2015-067517 |
| 公開日 |
2015/4/13 |
| 登録番号 |
特許第6274492号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 |
単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 技術分野 |
金属材料、無機材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
単結晶ダイヤモンドの製造方法 |
| 目的 |
複数の単結晶ダイヤモンド基板を原料とし、該基板の２０ｍｍを超える側面で接合して単結晶ダイヤモンド基板を提供する。 |
| 効果 |
本発明の製造方法によると、複数の単結晶ダイヤモンド結晶を種基板としてもこれらを接合する際に接合部位が２０ｍｍを超えるものであっても、これらを接合させることができ、より大面積のダイヤモンド結晶基板を製造することができる。
また、従来よりも基板の面積を拡大することが可能となり、一枚の基板当たりから作製される、工具、窓材料、電子素子等の数を増やせるため、低コストで作製が可能となる。 |
技術概要
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下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法：
（１）同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板であって、該種基板の稜線と該種基板のオフ方向のなす角度が、それぞれの種基板間で全て同一となるように、該種基板の主たる成長面の外周側面が整形加工され、且つ整形加工された側面に基づく稜線の長さが２０ｍｍを超える、複数の単結晶ダイヤモンド種基板を、支持台上に、整形加工された該種基板の長さ方向の側面同士が接触し、それぞれの該種基板のオフ方向を一致させ、且つ該種基板の主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程、
（２）上記（１）工程で支持台上に載置された複数の種基板の主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させ、該複数の種基板を接合する工程。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
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| 特許権実施許諾 |
【可】
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