単結晶ダイヤモンドの製造方法

開放特許情報番号
L2013002643
開放特許情報登録日
2013/12/27
最新更新日
2015/6/26

基本情報

出願番号 特願2013-205146
出願日 2013/9/30
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-067516
公開日 2015/4/13
発明の名称 単結晶ダイヤモンドの製造方法
技術分野 化学・薬品、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶ダイヤモンドの製造方法
目的 接合面の結晶学的性質が優れた単結晶ダイヤモンド基板を提供する。
効果 本発明の製造方法によると、得られた単結晶ダイヤモンド基板の接合領域の結晶学的性質が良好であるために、これを種基板として用い、更に大面積の単結晶ダイヤモンド基板を製造することが可能である。
また、得られた単結晶ダイヤモンド基板は接合領域であっても、比較的一様なモフォロジ―が得られるため、超難加工材料であるダイヤモンドの加工における負担を軽減することが可能である。
技術概要
下記の工程を含む単結晶ダイヤモンド基板の製造方法:
(1)同一の結晶学的性質を有する複数の単結晶ダイヤモンド種基板A,Bであって、種基板A,Bのオフ方向と種基板A,Bの稜線のなす角が17度より大きく、90度未満となるように種基板A,Bの主たる成長面の外周側面が整形加工された複数の種基板A,Bを、支持台上に、互いの整形加工された種基板A,Bの側面同士が接触し、種基板A,Bの結晶面のオフ方向を一致させ、且つ種基板A,Bの主たる成長面が露出する状態となるように載置する工程。(2)上記(1)工程で支持台上に載置された複数の種基板A,Bの主たる成長面上に単結晶ダイヤモンドを成長させる工程。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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