炭素系皮膜の形成方法、及び、形成装置

開放特許情報番号
L2013002639
開放特許情報登録日
2013/12/27
最新更新日
2017/5/15

基本情報

出願番号 特願2013-200739
出願日 2013/9/27
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-067842
公開日 2015/4/13
登録番号 特許第6103644号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 炭素系皮膜の形成方法、及び、形成装置
技術分野 金属材料
機能 機械・部品の製造
適用製品 炭素系皮膜の形成装置
目的 CVD法やPVD法等のような高エネルギーかつ高コストプロセスを用いることなく、省エネルギー、低コストで炭素系皮膜を形成することのできる炭素系皮膜形成方法や炭素系皮膜形成装置を提供する。
効果 本発明によれば、CVD法やPVD法等のような高エネルギーかつ高コストプロセスを用いることなく、比較的簡単な低コストの装置を用いた簡単な操作、低ランニングコストでDLC皮膜等の炭素系皮膜を形成することができる。
技術概要
金属体の表面が容器の内部空間に面するように前記金属体を保持し、炭化水素系ガスと複数の粒状体を前記内部空間に存在させた状態で前記容器を振動し、複数の粒状体を前記金属体の表面に衝突させて、前記金属体の表面に炭素系皮膜を形成する、炭素系皮膜の形成方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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