高度にフッ素化されたフェノール誘導体およびその中間体

開放特許情報番号
L2013002564
開放特許情報登録日
2013/12/19
最新更新日
2013/12/19

基本情報

出願番号 特願2005-347838
出願日 2005/12/1
出願人 公益財団法人野口研究所
公開番号 特開2007-153760
公開日 2007/6/21
登録番号 特許第5005212号
特許権者 公益財団法人野口研究所
発明の名称 高度にフッ素化されたフェノール誘導体およびその中間体
技術分野 有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 フッ素化されたフェノール誘導体、フッ素化された基の導入試剤
目的 高度にフッ素化されたパラアルコキシフェニル型保護基の導入試剤を提供する。
効果 本発明化合物を用いて導入される高度にフッ素化されたパラアルコキシフェニル型保護基は、従来の高度にフッ素化された保護基が除去されてしまうような酸性や塩基性条件下、酸化や還元反応にも安定な、これまでにない性質の高度にフッ素化された保護基である。従って、これまでは使用できなかった反応条件下でもフルオラス合成法を展開することが可能である。
また、フルオラス合成は、ファインケミカルズの製造、ペプチド、糖鎖、核酸などの複雑な天然物やそのアナローグの製造を容易にする。
技術概要
 
式[I](下記、イメージ図参照)

(式中、Rfはパーフルオロアルキル基を1つまたは複数箇所有する高度にフッ素化された基を、Xは水素、アルキル基、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかを、nは0〜16の整数を表し、Xはその表示各位において同一である必要はない。)で表されることを特徴とする高度にフッ素化されたフェノール誘導体。硝酸第二セリウムアンモニウム存在下で選択的に脱保護され、さらに、従来の高度にフッ素化された保護基が除去されてしまうような酸性や塩基性条件下、酸化や還元反応にも安定。
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT