化合物薄膜太陽電池の製造方法及び化合物薄膜太陽電池

開放特許情報番号
L2013002488
開放特許情報登録日
2013/12/9
最新更新日
2017/7/26

基本情報

出願番号 特願2013-162235
出願日 2013/8/5
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2015-032731
公開日 2015/2/16
発明の名称 化合物薄膜太陽電池の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 化合物薄膜太陽電池の製造方法及び化合物薄膜太陽電池
目的 レーザースクライブ法による化合物薄膜太陽電池セル分離時における熱ダメージ層に起因したセル変換効率の低下を抑制した高品質の化合物薄膜太陽電池を製造する。
効果 高効率な電池変換効率を大面積モジュール化の後も維持することができ、また非接触のレーザースクライブ法を用いて製造されるため、素子のフレキシブル化も実現でき、モジュール化を阻害する分割溝側面上部へのリム構造の形成が殆どなく、融点が比較的低い化合物半導体光吸収層への溶融などの熱ダメージを大幅に低減し、レーザースクライブ法による化合物薄膜太陽電池セル分離時における熱ダメージ層に起因したセル変換効率の低下を抑制した高品質の化合物薄膜太陽電池を製造することができる。
技術概要
基板上に少なくとも背面電極層と化合物半導体からなる光吸収層と透明導電膜層との順で積層された積層構造を有する構造体に対し、パルスレーザー光を前記積層構造の最上層の所定箇所に照射しつつライン状に走査するとともに、1回のライン走査では溝形成が達成されない程度に1パルスあたりのレーザーエネルギー密度を低減させた状態で、かつ、次パルスがどの程度の時間間隔後に照射されるかを決めるパルス繰り返しと、照射面における前記パルスレーザー光のビーム重なりとを一定値以下に抑えた所定の照射条件で、前記積層構造の最上層の同じ箇所を複数回ライン走査することにより、前記積層構造のうち少なくとも前記光吸収層から前記透明導電膜層までの積層構造部分の前記所定箇所にライン状の所定幅の溝を形成して除去するレーザースクライブを行う工程を少なくとも有するレーザースクライブ工程を含み、
前記溝の部分が除去された前記積層構造部分を有し、かつ、前記基板上の前記背面電極層を含む構造体を薄膜太陽電池セルとし、複数の前記薄膜太陽電池セルが互いに電気的に接続された化合物薄膜太陽電池を製造することを特徴とする化合物薄膜太陽電池の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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