撮像デバイス

開放特許情報番号
L2013002445
開放特許情報登録日
2013/12/9
最新更新日
2013/12/9

基本情報

出願番号 特願2008-191823
出願日 2008/7/25
出願人 日本放送協会
公開番号 特開2010-033738
公開日 2010/2/12
登録番号 特許第5111276号
特許権者 日本放送協会
発明の名称 撮像デバイス
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア、検査・検出
適用製品 撮像デバイス
目的 高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層と、この光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層とを用いることにより、高感度・高解像度で高S/Nの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供する。
効果 高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層と、この光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層とを用いることにより、高感度・高解像度で高S/Nの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供できる。
技術概要
導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、
前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、
前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、
前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が6.5g/cm↑3以上の酸化セリウムで構成される、撮像デバイス。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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