電解質メモリ素子

開放特許情報番号
L2013002419
開放特許情報登録日
2013/12/5
最新更新日
2015/5/21

基本情報

出願番号 特願2011-163951
出願日 2011/7/27
出願人 国立研究開発法人理化学研究所
公開番号 特開2013-030527
公開日 2013/2/7
登録番号 特許第5717096号
特許権者 独立行政法人理化学研究所
発明の名称 電解質メモリ素子
技術分野 電気・電子、情報・通信
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 メモリ素子
目的 低電圧駆動可能で低消費電力型の不揮発性メモリ素子およびその製造方法を提供する。
効果 本発明によれば、二酸化バナジウムと電解質とを利用したメモリ素子が提供され、メモリ素子を用いる機器の生産に寄与する。
技術概要
二酸化バナジウムを主成分とするメモリ層が一の面の上に形成された基板を含む第1基体であって、該基板は、該メモリ層の面の少なくとも一部を覆い該メモリ層に接している第1電極部と、該第1電極部から離間され該メモリ層の面の別の一部を覆い該メモリ層に接している第2電極部とを有している、第1基体と、
該第1基体に対向する面の上に第3電極部を有する対向基板を含む第2基体と、
互いに対向して配置されている前記第1基体と該第2基体とに挟まれ、前記第1電極部と前記第2電極部との間において前記メモリ層に近接している電解質層と
を備える
メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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