量子カスケードレーザー素子

開放特許情報番号
L2013002417
開放特許情報登録日
2013/12/5
最新更新日
2015/6/24

基本情報

出願番号 特願2011-169455
出願日 2011/8/2
出願人 独立行政法人理化学研究所
公開番号 特開2013-033867
公開日 2013/2/14
登録番号 特許第5544574号
特許権者 国立研究開発法人理化学研究所
発明の名称 量子カスケードレーザー素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、加熱・冷却
適用製品 量子カスケードレーザー素子
目的 閾値電流密度J↓(th)を低減し最高動作温度T↓(max)を高めた量子カスケードレーザー素子を作製する。
効果 本発明によれば、閾値電流密度J↓(th)が低減されたTHz−QCLまたは最高動作温度T↓(max)が向上されたTHz−QCLが提供される。これらTHz−QCLはTHz領域の電磁波の発生源を利用する機器に利用される。
技術概要
一対の電極と該一対の電極に挟まれている半導体超格子構造とを備える量子カスケードレーザー素子であって、
該半導体超格子構造は、前記一対の電極間に電圧が印加された際にTHz領域の電磁波を放出する活性領域を備えており、
該活性領域は、交互に積層されたウェル層とバリア層をいくつか含むある厚みの単位構造を該厚みの向きに繰り返して有しており、
該ウェル層は、AlAsとGaAsとの混晶であるAl↓xGa↓(1−x)As(ただし、0<x<1)からなるものである、
量子カスケードレーザー素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

アピール内容 実施許諾の可否・条件に関する最新の情報は、(独)理化学研究所連携推進部 知財創出・活用課までお問合せ下さい。

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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