| 出願番号 |
特願2011-169455 |
| 出願日 |
2011/8/2 |
| 出願人 |
独立行政法人理化学研究所 |
| 公開番号 |
特開2013-033867 |
| 公開日 |
2013/2/14 |
| 登録番号 |
特許第5544574号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人理化学研究所 |
| 発明の名称 |
量子カスケードレーザー素子 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、加熱・冷却 |
| 適用製品 |
量子カスケードレーザー素子 |
| 目的 |
閾値電流密度Ｊ↓（ｔｈ）を低減し最高動作温度Ｔ↓（ｍａｘ）を高めた量子カスケードレーザー素子を作製する。 |
| 効果 |
本発明によれば、閾値電流密度Ｊ↓（ｔｈ）が低減されたＴＨｚ−ＱＣＬまたは最高動作温度Ｔ↓（ｍａｘ）が向上されたＴＨｚ−ＱＣＬが提供される。これらＴＨｚ−ＱＣＬはＴＨｚ領域の電磁波の発生源を利用する機器に利用される。 |
技術概要
 |
一対の電極と該一対の電極に挟まれている半導体超格子構造とを備える量子カスケードレーザー素子であって、
該半導体超格子構造は、前記一対の電極間に電圧が印加された際にＴＨｚ領域の電磁波を放出する活性領域を備えており、
該活性領域は、交互に積層されたウェル層とバリア層をいくつか含むある厚みの単位構造を該厚みの向きに繰り返して有しており、
該ウェル層は、ＡｌＡｓとＧａＡｓとの混晶であるＡｌ↓ｘＧａ↓（１−ｘ）Ａｓ（ただし、０＜ｘ＜１）からなるものである、
量子カスケードレーザー素子。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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