オプトエレクトロニクス応用のための(Al、In、Ga)NおよびZn(S、Se)のウェハボンディング方法

開放特許情報番号
L2013002301
開放特許情報登録日
2013/11/8
最新更新日
2015/11/12

基本情報

出願番号 特願2007-520436
出願日 2005/7/6
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2006/014421
公開日 2006/2/9
登録番号 特許第5303696号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 オプトエレクトロニクス応用のための(Al、In、Ga)NおよびZn(S、Se)のウェハボンディング方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 オプトエレクトロニクス応用のためのウェハボンディング
目的 オプトエレクトロニクス応用のためのウェハボンディング方法の改良。
効果 光デバイス応用に関しては、本発明によって作製されるDBRを組み込んだ構造は金属鏡を用いる現行の構造に比べて、光の取り出しの増大のためにより高い効率を持つという点と、サファイア基板上に成長したデバイスに比べて熱の放散が大きくなっていて、また熱の発生も低減していることによって、より大きな信頼性を持つという点とで主要なる優位性を持っている。この新規なハイブリッドGaN/ZnSe設計の結果得られる外部量子効率は現行のGaN系デバイスのそれよりも高くなるはずである。
技術概要
(a)GaAs上にZn(S,Se)を成長することによりZnSSeウェハを作製する工程、
(b)サファイア上に(Al,In,Ga)Nを成長することによりAlGaInNウェハを作製する工程、および
(c)前記ZnSSeウェハおよび前記AlGaInNウェハを重ね合わせて、この重ね合わされたZnSSeおよびAlGaInNウェハを融着する工程を備えたウェハボンディング方法であって、前記Zn(S、Se)内に組み込まれた分布ブラッグ反射器(DBR)構造を備え、かつ(Al,In,Ga)Nが光デバイス構造を備えたことを特徴とするウェハボンディング方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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