薄膜形成方法

開放特許情報番号
L2013002225
開放特許情報登録日
2013/10/25
最新更新日
2013/10/25

基本情報

出願番号 特願2004-167883
出願日 2004/6/7
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2005-347653
公開日 2005/12/15
登録番号 特許第4500961号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 薄膜形成方法
技術分野 電気・電子、機械・加工、化学・薬品
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 薄膜形成方法
目的 Si、C、Nの3元素組成物SiC↓xN↓yのx、yを制御して、高融点材料上のみでなく有機化合物上へ、爆発等の危険性を伴うことなく安全に、低温形成も可能にするSiC↓xN↓y薄膜の形成方法を提供する。
効果 Si、C、Nの3元素組成物SiC↓xN↓yのx、yを制御して、高融点材料上のみでなく有機化合物上へ、爆発等の危険性を伴うことなく安全に、低温形成も可能にするSiC↓xN↓y薄膜の形成方法を提供することが可能になる。
危険なガスを使用することなく、しかも比較的低温で、SiC↓xN↓y膜を半導体基板だけでなく有機物フイルム上にも形成することができる。従って、本発明は、半導体産業以外の化学、鉄鋼、食品など幅広い産業にも普及する可能性がある。
技術概要
反応室下部にガス流入口、上部に基板、その中間に1600℃に加熱されたタングステン触媒体が設置されており、ガス流入口から導入されたヘキサメチルジシラザンとアンモニアと水素の混合ガスはタングステン触媒体で分解され、分解生成した化学種が基板表面で反応しSiC↓xN↓y薄膜が形成される。SiC↓xN↓y薄膜組成は混合ガスの組成や基板温度をかえることによって制御できる。基板としては、Siを含有しない低融点のアクリル、テフロン、ポリエステル等の有機化合物を使用することもできる。
実施実績 【有】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT