有機電界効果型トランジスタ

開放特許情報番号
L2013002208
開放特許情報登録日
2013/10/25
最新更新日
2014/4/28

基本情報

出願番号 特願2010-517840
出願日 2009/6/4
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 WO2009/157284
公開日 2009/12/30
登録番号 特許第5477750号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 有機電界効果型トランジスタ
技術分野 電気・電子
機能 制御・ソフトウェア
適用製品 有機電界効果型トランジスタ
目的 容易かつ簡便(低コスト)な共役系高分子材料を使う手法により、絶縁性を維持しやすい有機電界効果型トランジスタを提供する。
効果 本発明の有機電界効果型トランジスタは、有機半導体層が非常に高い絶縁性を示す空乏層となり、高インピーダンスなデバイスとなる。また、不純物が還元物質に捕縛されており可動イオンとして振舞うことをできず、トランジスタ特性のヒステリシスを抑制できる。また、完全な空乏状態からオン状態に変化するので、急峻なサブスレッショルド特性を実現できる。
また、フレキシブルディスプレイ等への利用が期待される。
技術概要
ソース電極とドレイン電極の間で電流通路となる有機半導体層が空乏層を含む共役系高分子からなり、該有機半導体層の導電率をゲート電極によって制御する有機電界効果型トランジスタにおいて、前記空乏層が、共役系高分子からなる前記有機半導体層にショットキー接合する還元性物質を接合させることによって形成されている有機電界効果型トランジスタ。共役系高分子を有機半導体として用いた、絶縁性を維持しやすい有機電界効果型トランジスタが提供される。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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