導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法

開放特許情報番号
L2013002195
開放特許情報登録日
2013/10/24
最新更新日
2015/5/29

基本情報

出願番号 特願2013-178124
出願日 2013/8/29
出願人 国立大学法人鳥取大学
公開番号 特開2015-046548
公開日 2015/3/12
発明の名称 導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 導電性ブリッジメモリ装置及び同装置の製造方法
目的 同装置のスイッチング特性制御に明確な設計指針を与え、所望のスイッチング特性を実現するための素子構成を提供すること。
効果 電極A構成原子の拡散を媒介する溶媒の調整により、抵抗スイッチング特性、特に、抵抗スイッチングが生じる電圧や電流の制御が可能となり、抵抗スイッチングを発生させるために必要な電力とスイッチング電圧のばらつきを低減することができ、蒸発及び電気分解し難い溶媒を酸化物多結晶膜粒界或いは多孔質体中の水と置換することにより、劣化に強く安定した導電性ブリッジメモリ装置またはスイッチ素子の作製が可能となる利点がある。
技術概要
電気化学的に活性でイオン化し易い第1の金属と電気化学的に安定な第2の金属との間にメモリ層となる多孔質膜体を介在させると共に、前記多孔質膜体の細孔中に非極性性から強極性の有機溶媒もしくは酸・塩基・塩類の水溶液またはイオン液体を留保させたことを特徴とする導電性ブリッジメモリ装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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