量子カスケードレーザ

開放特許情報番号
L2013002147
開放特許情報登録日
2013/10/23
最新更新日
2015/7/28

基本情報

出願番号 特願2012-032681
出願日 2012/2/17
出願人 国立研究開発法人情報通信研究機構
公開番号 特開2013-171842
公開日 2013/9/2
発明の名称 量子カスケードレーザ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 量子カスケードレーザ
目的 LOフォノンエネルギーの大きい半導体を用いかつサブバンド準位のブロードニングの影響を低減した構成を提案し、より高温でのレーザ発振に向けたレーザ利得を改善することを目的とする。
効果 従来のものに比べて、より高い温度で動作し、広い帯域で発振波長を選択することができる量子カスケードレーザを実現することができる。
本発明のQCLでは、高温での動作を実現することができる。さらに、広い範囲での波長可変なテラヘルツ帯光源を実現することができる。
回折格子を用いた外部共振器を波長選択器に用いて装置を構成し、選択波長を調整して発振波長を変えることもできる。また、波長を変える際に、QCL素子への印加電圧を変えてその可変範囲を拡大することができる。
技術概要
テラヘルツ帯で発振し、電圧を印加する電極間に多数のユニットを積層したものであり、各ユニットは、2種類の化合物半導体層を交互に2回積層して構成した2個のウェルから構成され、レーザ上準位と下準位が空間的に重ならないようにしたもので、化合物半導体層のウェル層について、LOフォノンと電子の結合におけるフレーリッヒ結合係数は、GaAsの値を上回りGaNの値以下であり、LOフォノンエネルギーは、GaAsの値を上回りGaNの値以下とする。2種類の化合物半導体層は、例えば、ウェル層のGaN層とバリア層のAlGaN層であるか、または、ウェル層のAlP層とバリア層のGaP層であるか、または、ウェル層のAlGaP層とバリア層のGaP層である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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