表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法

開放特許情報番号
L2013002140
開放特許情報登録日
2013/10/18
最新更新日
2013/10/18

基本情報

出願番号 特願2008-025483
出願日 2008/2/5
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2009-188117
公開日 2009/8/20
登録番号 特許第5360639号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 表面改質単結晶SiC基板、エピ成長層付き単結晶SiC基板、半導体チップ、単結晶SiC成長用種基板及び単結晶成長層付き多結晶SiC基板の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出、材料・素材の製造
適用製品 単結晶又は多結晶のSiC基板の表面に、単結晶SiC層を生成させる技術
目的 元となる単結晶SiC基板の結晶多形の如何にかかわらず、その表面を4H−SiC単結晶に改質することが可能な気相技術を提供する。
効果 アモルファスSiC形成工程及び再結晶工程において他の不純物が単結晶SiC基板(又は嵌合容器)に侵入することを防止でき、品質の良好な表面改質単結晶SiC基板を得ることができる。
容器に炭素ゲッター機能を良好に発揮させて、その内部空間を高純度のシリコン雰囲気に保つことができる。
原子レベルに平坦な単結晶4H−SiC層を容易にかつ効率良く得ることができる。
エピタキシャル成長工程を一層良好に且つ効率良く行うことができる。
半導体基板として好適な電気特性を有する4H−SiC層を著しく安価に提供することができる。
技術概要
単結晶3C−SiC、単結晶4H−SiC、又は単結晶6H−SiCの何れかよりなる単結晶SiC基板を高真空環境において加熱して、当該単結晶SiC基板の表面に炭化層を形成させる炭化工程と、
炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶SiC基板を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記炭化層をシリコンと反応させてアモルファスSiCからなる犠牲成長層を生成させるアモルファスSiC形成工程と、
炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に前記単結晶SiC基板を収容した状態で、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら加熱することで、前記犠牲成長層のアモルファスSiCの少なくとも一部を再結晶させて単結晶4H−SiC層を生成させる再結晶工程と、
を含むことを特徴とする表面改質単結晶SiC基板の製造方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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