半導体装置の製造方法

開放特許情報番号
L2013002135
開放特許情報登録日
2013/10/16
最新更新日
2017/5/15

基本情報

出願番号 特願2012-185660
出願日 2012/8/24
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 特開2014-045024
公開日 2014/3/13
登録番号 特許第6090767号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 半導体装置の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体装置の製造方法
目的 高密度に量子ドットを形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
効果 高密度に量子ドットを形成できる半導体装置の製造方法が提供される。
技術概要
半導体単結晶基板上にGa等のIII族元素層を形成する工程と、その後、Ga等のIII族元素およびSb等のV族元素を照射してIII族元素層が形成された半導体単結晶基板上にGaSb等のIII―V族量子ドットを形成する工程と、を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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